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1、PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱是positivecchannel Metal Oxide Semiconductor，別名是positiveMOS。

2、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Mos）可分為兩類：n通道和p通道。p通道硅Mos場(chǎng)效應(yīng)晶體管在n型硅襯底上有兩個(gè)p區(qū)，即源電極和漏電極。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果n型硅襯底表面上的n-表面存在p型逆層通道。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。