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由于筆記本電腦整合性高，設(shè)計(jì)精密，對于內(nèi)存的要求比較高，筆記本內(nèi)存必須符合小巧的特點(diǎn)，需采用優(yōu)質(zhì)的元件和先進(jìn)的工藝，擁有體積小、容量大、速度快、耗電低、散熱好等特性。出于追求體積小巧的考慮，大部分筆記本電腦最多只有兩個內(nèi)存插槽。 我們把內(nèi)存的發(fā)展分為非標(biāo)準(zhǔn)時(shí)代和標(biāo)準(zhǔn)時(shí)代。

混亂年代－非標(biāo)準(zhǔn)的天堂
和其它配件一樣，內(nèi)存的發(fā)展也是從臺式機(jī)開始的。剛開始的內(nèi)存都是焊接在主板上的。我們所熟悉的內(nèi)存條大致是從286時(shí)期主板上的內(nèi)存條開始的，30pin、256K的，而且必須是由4條組成一個bank方可顯示。30pin 、16MB在那時(shí)可是稀罕物，價(jià)格不菲。而本本的內(nèi)存出現(xiàn)要晚的多。
1982年11月，Compaq推出第一臺IBM兼容手提計(jì)算機(jī)，采用的內(nèi)存為128KB RAM。而真正的筆記本內(nèi)存是始于486時(shí)代的。
那時(shí)筆記本適用內(nèi)存幾乎是千奇百怪，一個品牌、一個機(jī)型一種適用內(nèi)存，因?yàn)楸旧磉@個時(shí)代的機(jī)器就帶有摸索和試驗(yàn)的性質(zhì)，有的機(jī)器更是直接用PCMICA內(nèi)存卡來做內(nèi)存。
到了586階段，臺灣廠商的筆記本的產(chǎn)品逐步推廣使用了72pin SO DIMM標(biāo)準(zhǔn)筆記本內(nèi)存，其實(shí)也存在至少4種72pin SO DIMM內(nèi)存：72pin 5V FPM SO DIMM、72pin 5V EDO 72pin 3.3V FPM SO DIMM、72pin 3.3V EDO SO DIMM。這時(shí)的內(nèi)存大部分和顯卡一樣是焊接在主板上的。
到了Pentium MMX階段，出現(xiàn)了144pin 3.3V EDO SO DIMM標(biāo)準(zhǔn)筆記本內(nèi)存，也就是我們所說的EDO內(nèi)存。這種內(nèi)存需要雙條搭配使用，價(jià)格依舊很貴。另外仍然存在一些異類，例如：TOSHIBA的某些機(jī)型、臺灣TWINHEAD（倫飛）的8、9系列。

EDO內(nèi)存
名詞解釋：EDO內(nèi)存：這種內(nèi)存主要用于古老的MMX和486機(jī)型上面，也有部分廠家在PII的筆記本電腦中仍然使用EDO內(nèi)存，這種EDO單條最高容量只有64M，而且由于EDO內(nèi)存的工作電壓為5V和現(xiàn)在常用的SDRAM的3.3V相比更費(fèi)電一些，所以很快就被SDRAM內(nèi)存所取代。

過渡使者－SDRAM
筆記本經(jīng)歷了Pentium時(shí)代，CPU的速度已經(jīng)越來越快，這時(shí)Intel公司提出了具有里程碑意義的內(nèi)存技術(shù)----SDRAM。，至此，筆記本內(nèi)存進(jìn)入完全的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存時(shí)代。
市場上的標(biāo)準(zhǔn)筆記本用的SDRAM都是144pin的SO-DIMM接口，而大部分PII和PIII本本使用的就是SDRAM內(nèi)存。SDRAM內(nèi)存生產(chǎn)商和牌子很多，而且價(jià)格相對來講都不是很貴，產(chǎn)品性能區(qū)別不大，比較著名的品牌有kingmax,kinghorse,創(chuàng)見等。

單條雙面16片256MB的SDRAM內(nèi)存
名詞解釋：SDRAM內(nèi)存：SDRAM的全稱是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步動態(tài)隨即存儲器)，就象它的名字所表明的那樣，這種RAM可以使所有的輸入輸出信號保持與系統(tǒng)時(shí)鐘同步。由于SDRAM的帶寬為64Bit，因此它只需要一條內(nèi)存就可以工作，數(shù)據(jù)傳輸速度比EDO內(nèi)存至少快了25％。SDRAM包括PC66、PC100、PC133等幾種規(guī)格。

內(nèi)存中的另類－Micro DIMM接口內(nèi)存
由于超薄機(jī)型和SUB NOTEBOOK的出現(xiàn)，普通的內(nèi)存無法滿足它們的需要，因此Micro DIMM接口內(nèi)存應(yīng)運(yùn)而生，如SONY 的 SR 系列。MicroDIMM是一種新出現(xiàn)的筆記本內(nèi)存接口并且很有可能演變成為將來的SUB NOTBOOK的內(nèi)存接口標(biāo)準(zhǔn)，雖然它也是144Pin 但跟普通的144Pin有很大差別，這種專用內(nèi)存現(xiàn)在在市場上還很少見。如Sony的C1就是使用的此種內(nèi)存。

SDRAM Micro-DIMM 144pin

質(zhì)的飛躍－DDR
DDR SDRAM 顧名思義，Double Data Rate(雙倍數(shù)據(jù)傳輸)的SDRAM。隨著臺式機(jī)DDR內(nèi)存的推出，現(xiàn)在筆記本電腦也步入了DDR時(shí)代，目前有DDR266和DDR333等規(guī)格，現(xiàn)在在主流的采用Pentium4-M、Pentium-M、P4核心賽揚(yáng)的機(jī)器都是采用DDR內(nèi)存，也有少量的Pentium3-M的機(jī)器早早跨入DDR時(shí)代。其實(shí)DDR的原理并不復(fù)雜，它讓原來一個脈沖讀取一次資料的SDRAM可以在一個脈沖之內(nèi)讀取兩次資料，也就是脈沖的上升緣
和下降緣通道都利用上，因此DDR本質(zhì)上也就是SDRAM。而且相對于EDO和SDRAM，DDR內(nèi)存更加省電（工作電壓僅為2.25V）、單條容量更加大（已經(jīng)可以達(dá)到1GB）。

NANYA生產(chǎn)的1G DDR筆記本內(nèi)存條
開始大部分本本都是用的DDR266內(nèi)存。而2002年，因?yàn)镮NTEL 855GME芯片組的出現(xiàn)首先支持DDR333。而早已經(jīng)在臺式機(jī)上得到普及的DDR400內(nèi)存也很快會在本本上得到普及。

256M DDR400的三星原廠筆記本內(nèi)存

更新?lián)Q代 DDR2
首先，我們從使用平臺和封裝工藝的角度來說說為什么DDR2筆記本內(nèi)存將成為新的標(biāo)準(zhǔn)。新一代的Sonoma架構(gòu)由于選用了9XX系列移動芯片組設(shè)計(jì)，因此增加了對于最新DDR2內(nèi)存規(guī)范的支持，選用DDR2內(nèi)存規(guī)范之后除了可以保證高頻前端總線的穩(wěn)定運(yùn)算以外，還可以在能耗方面更加節(jié)約。DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于DDR時(shí)代廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-II封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內(nèi)存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術(shù)，DDR已經(jīng)走到了技術(shù)的極限；隨著Intel最新處理器技術(shù)的發(fā)展，前端總線對內(nèi)存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運(yùn)行頻率的DDR2內(nèi)存將是大勢所趨。

優(yōu)異的做工，精致的內(nèi)存
當(dāng)然，高性能的背后一定要有尖端的技術(shù)作為支持，DDR2筆記本內(nèi)存技術(shù)從研發(fā)到應(yīng)用要比臺式機(jī)內(nèi)存復(fù)雜的多。單看這款DDR2-533筆記本內(nèi)存，從產(chǎn)品的外觀上要比臺式機(jī)內(nèi)存短小的多，這就要求制造廠商需要在很小的PCB板上精密的印刷上密密麻麻的電路，筆記本內(nèi)存的電氣元件也顯得非常袖珍，據(jù)介紹KINGXCON（金士剛）DDR2筆記本內(nèi)存采用的是0.1微米制程，標(biāo)準(zhǔn)的200針，雙向數(shù)據(jù)控制針腳。指甲般大小的英飛凌內(nèi)存顆粒，猶如綠豆大小的SPD，縝密的排列在6層的綠色PCB板，線路也印制的十分清晰。
再說關(guān)于延遲的問題，我們知道原來的DDR內(nèi)存物理性能已近極限，所以無法再提高工作頻率。而DDR2內(nèi)存剛開始起步，還有很大的提升空間。DDR2內(nèi)存在大幅提升帶寬的同時(shí)，也產(chǎn)生了副面的影響，那就是高延遲。
我們知道DDR2筆記本內(nèi)存采用與DDR筆記本內(nèi)存不同的工作電壓，由原來的2.5伏降到了目前的1.8伏，由此能耗方面更加節(jié)約。在533MHz頻率下的功耗只有304毫瓦（而DDR在工作電壓為2.5V，在266MHZ下功耗為418毫瓦）這里需要提醒一下大家，由于DDR2內(nèi)存和DDR內(nèi)存在供電電壓上存在不同，升級使用時(shí)切記注意內(nèi)存規(guī)范，如果選擇全新的SONOMA平臺，只能使用性能更佳的DDR2內(nèi)存。
談到這里，相信大家對DDR2筆記本內(nèi)存有了較為理性的了解。新技術(shù)的推出，必然有個循序漸近的過程。選擇新標(biāo)準(zhǔn)的DDR2筆記本內(nèi)存，大幅提升性能的同時(shí)，也需要較高的成本投入，不過相信伴隨SONOMA平臺的普及，DDR2筆記本價(jià)格下降成為市場主流的日子已經(jīng)不遠(yuǎn)了。在目前品牌相對有限的DDR2筆記本內(nèi)存領(lǐng)域，KINGXCON（金士剛）的這款DDR2-533產(chǎn)品，以精湛的制造工藝，優(yōu)秀的產(chǎn)品性能，以及相對低廉的價(jià)格，吸引著消費(fèi)者的眼球，也一定會在日益普及的DDR2筆記本內(nèi)存市場占有重要的地位。