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雖然市場上的主流 SSD 還是 TLC 或者 QLC，但是目前閃存廠商都開始嘗試研發(fā)下一代的閃存產(chǎn)品了。

鎧俠（前身是東芝存儲）在 2019 年已經(jīng)開始討論每個(gè)存儲單位 5 位元的 PLC 3D NAND 閃存技術(shù)，時(shí)隔三年后，該公司又開始展示每存儲單元 6 位元的 HLC 甚至每存儲單元 8 位元的 OLC 3D NAND 閃存技術(shù)。

眾所周知，存儲單元中每多一個(gè)位元的數(shù)據(jù)，就需要保持更多不同電壓的電平值，例如 MLC 或者說 2LC 需要維持 4 個(gè)電平，TLC 或者說 3LC 需要 8 個(gè)電平，QLC 需要 16 級 電平，PLC 需要 32 個(gè)電平，而鎧俠現(xiàn)在弄的 HLC 或者說 6LC 則需要多達(dá) 64 級電平。

這是巨大的挑戰(zhàn)。

首先，制造商需要找到能維持如此多電平值的材料，然后還要實(shí)現(xiàn)電平區(qū)分，確保電平狀態(tài)不會(huì)相互干擾。溫度控制也變得前所未有的重要，因?yàn)槲辉獢?shù)越多，溫度控制越困難。

鎧俠的研發(fā)人員對公司現(xiàn)有的 3D NAND 閃存顆粒倒進(jìn)了零下 196 攝氏度的液氮進(jìn)行冷卻，以消除重寫循環(huán)導(dǎo)致的器件劣化，這樣的極低溫度有助于降低隧道薄膜的要求、降低電平電壓值、穩(wěn)定材料。?？傊?，這相當(dāng)程度改善了 IC 中發(fā)生的物理特性和工藝。

經(jīng)過如此變態(tài)的處理后，鎧俠研發(fā)人員實(shí)現(xiàn)了維持 100 分鐘的每存儲單元 6 位元數(shù)據(jù)讀取、寫入，而且耐用度達(dá)到了 1000 次循環(huán)。當(dāng)然，這離不開零下 196 攝氏度的助力。據(jù)估計(jì)，如果是常溫下的話，耐用度會(huì)降低一個(gè)數(shù)量級，跌到 100 次循環(huán)。

HLC 和 QLC 相比提高了 50% 的存儲密度，相比于 PLC 只提升了 25%，HLC 在商業(yè)上具有更高的實(shí)現(xiàn)價(jià)值。除此以外，鎧俠還認(rèn)為 OLC 或者說 8LC 在技術(shù)上也是存在可能性的，目前的主要問題是尋找合適的材料、設(shè)計(jì)以及主控，最終也許可以讓 6LC 和 8LC 在商業(yè)上也有可行性。

但是如果這樣的努力失敗的話，人類的閃存技術(shù)也許將停留在 PLC 或者說 5LC 上，以目前的情況看 TLC 仍將存在較長的時(shí)間。