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2023-11-13
更新時(shí)間:2023-11-13 09:44:08作者:佚名
MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長(zhǎng)各種Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導(dǎo)體以及多元固溶體的薄層單晶材料。一般MOCVD設(shè)備都具有手動(dòng)和微機(jī)自動(dòng)控制操作兩種功能。