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1、處理器835是高通驍龍835芯片，高通驍龍835芯片基于三星10nm制造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835芯片面積將變得更小。

2、2016年10月，三星宣布率先在業(yè)界實(shí)現(xiàn)了10納米 FinFET工藝的量產(chǎn)。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達(dá)30%的芯片尺寸的基礎(chǔ)上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)性能提升27%或高達(dá)40%的功耗降低。通過(guò)采用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發(fā)布的產(chǎn)品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設(shè)計(jì)。制程工藝的提升與更先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)相結(jié)合，預(yù)計(jì)將會(huì)提升電池續(xù)航。